前英特尔 CEO 基辛格再批 HBM：称其为“糟糕的内存”，存在密度与散热短板

前英特尔首席执行官帕特·基辛格再次批评高带宽内存（HBM）存在位密度低、散热与“海岸线带宽”受限等问题，称其为“糟糕的内存”。海岸线带宽是指计算芯片边缘可用于连接 HBM 的物理周长资源，由于 HBM 接口需要占用芯片边缘大量面积，可布置的内存堆叠数量受到限制，从而形成带宽扩展瓶颈。

基辛格在接受 a16Z 专访时表示，HBM 的位密度非常低，带宽受限，功耗、散热等问题令人头疼。他指出，DRAM 内存不喜欢高温，所有数据都集中在一个地方，对于人工智能这种内存计算密集型工作负载来说，HBM 内存是灾难性的。

散热方面，HBM3/3E 总线宽度为 1,024 位，HBM4 提升至 2,048 位，需要大量并行连接与微凸点。韩国科学技术院的分析显示，当 HBM 功耗超过约 30 瓦时，GPU 或 ASIC 与 HBM 堆栈之间的物理层接口自身发热会成为内存热应力的主要来源。位密度方面，HBM 堆叠中的 DRAM 裸片需通过大量硅通孔连接，该结构减少了单颗裸片可容纳的存储单元数量，导致单颗 DRAM 裸片位密度较低，但整个堆叠在每平方毫米层面仍可提供更高累计密度。